二十世紀最重要的發明──電晶體。
1947年：巴丁(Bardeen)、布拉頓(Brattain)、蕭克利(Shockley)在美國的貝爾實驗室製造出第一個具有放大電流效果的固態三極體，並首先啟用了『電晶體(transister)』此一名稱。由於此三極體的結構特徵及電極的電流機制，因此取名為點接觸電晶體。
1948年：蕭克利再設計出結構上由兩個PN接面緊緊相鄰在一起的半導體元件─接面電晶體，，此結構的電晶體特性穩定，且不難以當時的半導體技術來製作生產，旋即成為眾多電子元件中廣受矚目的焦點，其後來的發展更成為半導體元件的主流。
1960年：柯恩(D．Kahng)及阿塔拉(M．Atala)以金屬-氧化物-半導體(常以金氧半表示)的閘極結構，設計出以目前來看更為實用的場效電晶體。由於金氧半場效電晶體可大量縮小其體積、耗電量低、穩定性高、容易大量生產，因此在微電子的應用上，後來居上，不論在產量或是用途方面，都遠超過其他任何一種電子元件。
如果要你票選二十世紀最重要的發明，你會選擇什麼？以對人類影響至深至大而言，首推電晶體的發明。但你可知，五十年前，貝爾實驗室首次發表了電晶體，所得到的反應竟是隔天紐約時報短短幾行不起眼的文字，而幾年後，電晶體的共同發明人蕭克利、巴丁、布拉頓三人獲頒諾貝爾物理獎。
第一個電晶體的發明過程。
貝爾實驗室的創辦人，Alexander Graham Bell （1847.3.3-1922.8.2）終其一生的願望，就是發明一個好用的助聽器（貝爾的老婆是聽障者），這個願望在他死後多年，因他的實驗室研究員的發明而得以實現。
1833年法拉第(Michael Faraday, 1791-1867)發現了半導體，他發現硫化銀的電阻與普通的金屬不同，它的電阻隨著溫度的上升而降低，而普通金屬的電阻都是隨著溫度的上升而增加的。在二次大戰前，人們已開始進行半導體的研究，二次大戰期間，貝爾實驗室的人都被徵調去當兵。
蕭克利 Schockley（William Schockley, 1910-1989）當兵期間是雷達軍官，對真空管相當瞭解，對真空管體積大、耗電量多、易損壞的缺點也知之甚詳。戰爭結束後，他亟想用當時正在發展中的半導體來取代真空管。
當時已知在半導體內移動的是自由電子與電洞，他想：「如果我在半導體內插入二個電極板，控制這二個電極板的電壓，就可以影響半導體內自由電子與電洞的分佈，我就可以改變電流，讓電流通過外接的電阻，就可以使電壓放大。」（當時應用中的真空管三極體主要功能就是放大、開關）
但是他一直無法在半導體內插入電極板，在他準備放棄前他找了布拉頓（Walter H. Brattain, 1902-1987）來幫忙，Brattain是農家小孩出身，手很靈巧，他依照Schockley的要求，將平行刀片插進半導體內，可是電流卻沒有如Schockley所預期般的放大。
前後嘗試了三年，一直沒有成功。巴丁（John Bardeen, 1908-1987）是一個理論物理學家，他與Brattain在同一個辦公室，他覺得Schockley的構想不錯，他也很疑惑，為何無法得到預期的結果？（預期經過電晶體後，電流應放大）
【巴丁得過二次的諾貝爾獎，一次是因製做出電晶體，一次是因建立了超導體的微觀理論。】
他花了一個月的時間，潛心研究，解決了這個問題。他發現，當金屬片存在半導體中時，會產生金屬屏蔽效應，雖然在半導體二端加了電場，電場卻無法穿越半導體。他認為如果要控制電流的話，不是控制晶體內部電子或電洞，是應該要控制表面，要從表面來想，不是從塊狀物來想 。朝這個方向去研究，他們只用了一年多，就做出了第一個電晶體。
1947年12月23日三位科學家─巴丁、布萊坦、蕭克利發明了如右圖所示的電晶體但於次年六月才正式發表。
第一個電晶體依其結構又稱為點接觸電晶體，品質相當不穩定，難以控制。
電晶體的構想是Schockley提出，最後卻是由Bardeen解決了理論的問題而得以成功，不服輸的Schockley為此閉關苦思一個月，接著發明了接面型電晶體（BJT）。品質穩定，得以大量生產。Schockley後來離開了貝爾實驗室，在加州灣區開創第一家半導體公司，引起了風起雲湧的矽谷盛事。
第一個電晶體的結構簡介
在圖上可看到在有機玻璃的下方 基座上有一小塊平板形狀的灰色鍺晶體，晶體底面緊壓著兩片分隔僅約0.1mm的平行金薄片，晶體上面則 頂著一箭頭形的金屬電極。如果在此電極和其中之一的金薄片施加順向偏壓，而在電極和另一金薄片之間 加上逆向偏壓，則此電路具有將小訊號放大的功能。這種結構稱為點接觸型電晶體。
幾個星期後，肖克利 將之改良為p-n接面型電晶體，並建構了相關的理論。由於他們三位在半導體研究的開創性貢獻，1956年 獲頒諾貝爾物理獎。
電晶體的體積不但比真空管小得多，而且耗電量很低，又反應迅速，因此在發明後短 短數年之內，就取代了真空管，把電子 工業的技術帶入了一個新的紀元。
半導體、PN二極體
接面電晶體（BJT）
場效應電晶體（MOSFET）
微電子技術